重要通知：2月26-28日，2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇將在重慶召開(kāi)。即刻報(bào)名參會(huì)，還能參觀考察龍頭大廠對(duì)接合作！

近日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟相繼完成3項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)稿的編制，正式面向聯(lián)盟成員單位征求意見(jiàn)，為期一個(gè)月。

》》UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測(cè)試方法征求意見(jiàn)

2025年1月23日，由電子科技大學(xué)牽頭起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 052—202X《非鉗位感性負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)力下GaN HEMT在線測(cè)試方法》已完成征求意見(jiàn)稿的編制，正式面向聯(lián)盟成員單位征求意見(jiàn)，為期一個(gè)月。征求意見(jiàn)稿已經(jīng)由秘書(shū)處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位；非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至casas@casa-china.cn。T/CASAS 052—202X《非鉗位感性負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)力下GaN HEMT在線測(cè)試方法》描述了執(zhí)行非鉗位感性負(fù)載應(yīng)力下氮化鎵高電子遷移率晶體管在線測(cè)試方法，包括測(cè)試原理、測(cè)試條件、測(cè)試程序、數(shù)據(jù)處理和試驗(yàn)報(bào)告。

本文件適用于適用于封裝級(jí)GaN HEMT器件的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測(cè)試、可靠性評(píng)估及應(yīng)用評(píng)估等工作場(chǎng)景。

電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（Power Integrated Technology Lab, PITeL）隸屬于電子科技大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院，為四川省功率半導(dǎo)體技術(shù)工程研究中心，是電子薄膜與集成器件全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和電子科技大學(xué)集成電路研究中心的重要組成部分?，F(xiàn)有18名教授/研究員、9名副教授/副研究員，285名在讀全日制碩士研究生和69名博士研究生，被國(guó)際同行譽(yù)為“全球功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域最大的學(xué)術(shù)研究團(tuán)隊(duì)”和 “功率半導(dǎo)體領(lǐng)域研究最為全面的學(xué)術(shù)團(tuán)隊(duì)”。在團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人張波教授的帶領(lǐng)下，該實(shí)驗(yàn)室兩次牽頭取得國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)和四川省科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)，共獲省部級(jí)以上科研獎(jiǎng)勵(lì)15項(xiàng)。近年來(lái)，實(shí)驗(yàn)室共發(fā)表SCI收錄論文500余篇，獲授權(quán)發(fā)明專利1462項(xiàng)。同時(shí)，其產(chǎn)學(xué)研合作成效顯著，部分產(chǎn)品打破國(guó)外壟斷、實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，為企業(yè)新增直接經(jīng)濟(jì)效益超過(guò)百億元，推動(dòng)了我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。

》》2項(xiàng)AlN拋光片測(cè)試方法征求意見(jiàn)

2025年1月23日，由奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司牽頭起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 053—202X《氮化鋁晶片位錯(cuò)密度檢測(cè)方法 腐蝕坑密度測(cè)量法》、由中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所牽頭起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 054—202X《氮化鋁晶片吸收系數(shù)測(cè)試方法》已完成征求意見(jiàn)稿的編制，正式面向聯(lián)盟成員單位征求意見(jiàn)，為期一個(gè)月。征求意見(jiàn)稿已經(jīng)由秘書(shū)處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位。非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至casas@casa-china.cn。

T/CASAS 053—202X《氮化鋁晶片位錯(cuò)密度檢測(cè)方法 腐蝕坑密度測(cè)量法》描述了用擇優(yōu)化腐蝕技術(shù)測(cè)試氮化鋁拋光片中位錯(cuò)密度的方法，包括方法原理、儀器設(shè)備、測(cè)試條件、樣品、測(cè)試步驟、結(jié)果計(jì)算和測(cè)試報(bào)告。本文件適用于拋光加工后位錯(cuò)密度小于10*7 個(gè)/cm2的氮化鋁拋光片位錯(cuò)密度的測(cè)試，適用于1英寸、2英寸、3英寸、4英寸直徑氮化鋁拋光片的測(cè)試。氮化鋁外延片可參照使用。

T/CASAS 054—202X《氮化鋁晶片吸收系數(shù)測(cè)試方法》描述了氮化鋁（AlN）拋光片光吸收系數(shù)的測(cè)試方法，包括原理、儀器設(shè)備、測(cè)試條件、樣品、測(cè)試步驟、結(jié)果計(jì)算和測(cè)試報(bào)告。本文件適用于氮化鋁拋光片的光學(xué)質(zhì)量控制和評(píng)估。氮化鋁外延片可參照使用。

（轉(zhuǎn)自：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)）